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半導體的電子輸運特性一載流子擴散係數、少數載流子壽命和前表面複合速度是表徵半導體品質及特性的重要參數，是控制微電子器件質量、性能和可靠性的關鍵參數。 擴散原理 大量粒子（原子、分子、載流子等）的 熱運動 是一種混亂的布朗運動，速度很大，但是動量（包括方向）不確定。 而粒子在熱運動基礎之上的定向運動主要有兩種： [1] 一是在濃度梯度驅動下的擴散運動 二是在外場作用下的漂移運動 [1] 這兩種定向運動的速度都遠小於熱運動速度。 特別對於帶有電荷的載流子，如果既有電場的作用，又有濃度梯度的作用，則載流子就可能既有漂移運動，又有擴散運動。 載流子漂移運動的快慢採用 遷移率 μ來表示，而擴散運動的快慢採用擴散係數D來表示。 [1]查看更多內容

由於這個梯度，半導體內產生了電場。 當光照在本徵半導體中心上時,載子在中間產生，並向兩邊擴散。 由於電子（綠色）的擴散係數高於電洞（紫色），電子在中心處的堆積比電洞更少。 舉例[編輯] 當半導體中的載子分布處於非平衡態時，擴散就會發生。 比如半導體兩端有電勢差的時候，或者半導體一部分有光照產生了載子，造成局部載子濃度增加。 如右圖所示，當半導體中間有光照時，中間部分有較高載子濃度，並向兩邊擴散。 參考資料[編輯] ^McGraw Hill Encyclopaedia of Physics (2nd Edition), C.B. Parker, 1994, ISBN 0-07-051400-3查看更多內容

第1 章 半導體材料與特性 講義與作業 一、本質半導體 1. 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si) 2. 電子與電洞之密度相同，因皆由熱產生 3. 本質載子濃度 其中， B 為常數，與特定之半導體材導有關 Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann 常數=86×10-6 eV/ K查看更多內容

原子擴散係數（Diffusion coefficient）是表徵 粒子 擴散快慢的一個重要參量。. 原子或者分子的擴散係數不同於載流子的擴散係數，同一種粒子在不同介質中的擴散係數也不同。. 對於晶體中原子的擴散，擴散係數D與温度T有指數關係 [關係着熱缺陷的產生和運動]：D ...查看更多內容

Chapter 6 - 9 •在矽中摻雜(doping) 磷以穫得n型半導體: •程序: 3. 產生摻雜P的半導體 矽 利用擴散的製造程序 電腦晶片放大圖hip 0.5mm 淺色區域：矽原子 淺色區域：鋁原子 2. 加熱 1. 沈積P以得富含 P的表面層. 矽 Adapted from chapter-opening photograph,查看更多內容

根據擴散係數方程，我們應該知道通量密度的單位和梯度的單位，然後我們應該討論擴散係數的單位。 通量密度是粒子通過特定區域的淨速率。 現在，在單位內，有一個術語長度 2 表示面積單位，與磁通密度有關。查看更多內容

扩散 （英語： Diffusion ）是物质分子顺着 浓度梯度 （concentration gradient）或浓度差异移动的现象，即物质分子由高浓度区域移至低浓度区域，直到分子均匀分布为止。 扩散是小分子进出 细胞膜 的的方式之一。 细胞生物学意义上的扩散包括自由扩散（即此前所述之扩散）， 协助扩散 两类。 协助扩散则由两类膜蛋白进行辅助，一类是 通道蛋白 ，一类是 载体蛋白 。 化学动力学 [ 编辑] 在溶液反应动力学和生物化学领域，一类重要的反应是扩散控制速率的反应，这一类反应的反应很快，导致反应的速率由反应物在溶质中扩散的速率决定。 极限情况是在一个半径为R的区域内，反应物的浓度为0，反应物只要接触到这一个区域的边界，反应物就会立即发生反应而消失，最终建立一个稳态。查看更多內容

半導體 製程技術 Introduction to Semiconductor Process Technology 許正興 國立聯合大學電機工程學系 ... 的擴散速率也都較高. 氧化速率--晶圓方位 <111> 表面比<100> 的表面有較高的演化速率. 表面上有更多的矽原子 ...查看更多內容